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日本宇航研究开发机构测试了日本松下公司的下一代氮化镓晶体管

时间:2018-03-31 23:20来源:进入日本网整理 作者:进入日本

前文 主要认真开拓的Megakar日本yon暗示介绍:据日媒报道,近日,日本国内16家制药和化学相关企业在全球首次确立了利用iPS细胞量产属于血液成分之一的血小板的技术。 资料图:医疗研究 据报道,iPS细胞是可成长为身体任何部分的万能细胞。截至目前,获得血小板的手段是依赖献血。源自大学的风险企业Megakaryon利用iPS细胞生产血小板的业务获得。。。

  

日本宇航研究开发机构测试日本松下公司下一代氮化镓晶体管 新闻来源:大国重器   发布时间:2018/3/28 11:43:22

  近日,日本宇航研究开发机构(JAXA)正在评估日本松下公司生产的下一代X波段氮化镓功率晶体管,这是松下公司于2016年开始批量生产的功率器件。

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  位于茨城县筑波市的JAXA筑波航天中心正在进行火箭、卫星以及基础技术的研究开发。第一研究小组负责开发导航制导控制、电信系统、空间电力系统和电子器件,并已开始评估和验空间应用的X-GaN晶体管。

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  1氮化镓器件测试结果 copyright 进入日本

  第一小组中负责电子器件的成员Eiichi Mizuta说:“空间是一个非常恶劣的环境,特别是太空辐射可能会损坏电子器件,所以我们需要采取对策。我们采用氙离子对松下X-GaN晶体管进行辐射测试,,测试结果表明X-GaN晶体管具有很强的抗辐射性能。商用器件具有如此高的抗辐射性能令我们非常惊讶。” 进入日本,www.wokou.net.cn

  2氮化镓器件优势

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  此外,Mizuta还表示:“X-GaN器件可以实现更快的开关速度,应用于卫星时,可以帮助减少有效载荷质量,因为卫星有严格的有效载荷质量限制,这使得X-GaN器件非常有吸引力。”

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  Mizuta也表示,松下的X-GaN具有成为下一代空间器件的巨大潜力,希望继续与松下紧密合作,开发更好的空间用器件。

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  3松下公司新开发金属绝缘栅氮化镓晶体管 内容来自进入日本

  一个月前,松下公司宣布开发出金属绝缘体半导体(MIS)型氮化镓功率晶体管,能够在阈值电压不变的情况下连续稳定工作。该技术可以进一步提高氮化镓功率晶体管的工作速度,实现电子器件的小型化。 日本最新动态-www.wokou.net.cn

  金属绝缘体半导体(MIS)型GaN功率晶体管被认为是可以实际应用的下一代功率器件。同时,松下一直在研究MIS栅结构,以进一步提高器件运行速度。然而,在传统MIS型氮化镓功率晶体管中会发生滞后现象,并且尚未证实高电流和高电压的高速开关工作。

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  松下公司首次能够确认在20A电流下MIS型GaN功率晶体管能够持续稳定运行 - 这是未来超快GaN功率器件所需的特性,使得在开关频率显着增加的情况下,小型化外围无源元件成为可能。利用该技术可以实现各种功率转换电路的高效操作和小型化,诸如用于服务器和基站的电源。新型晶体管有助于扩大氮化镓功率晶体管应用市场。

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  4松下新开发的氮化镓晶体管特点 进入日本网(www.wokou.net.cn)

  松下新开发的氮化镓功率晶体管具有以下特点:

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  持续稳定的操作:最大栅极电压为+ 10 V

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  高电流和高电压操作:20 A的漏极电流和730 V的击穿电压 进入日本网(www.wokou.net.cn)

  高速切换:OFF运行时间为1.9 ns,ON运行时间为4.1 ns

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  5松下新开发的氮化镓晶体管技术

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  新晶体管采用以下技术开发: 进入日本,www.wokou.net.cn

  (1)使用AlON栅绝缘体 日本最新动态-www.wokou.net.cn

  新型AlON栅极绝缘体抑制了栅极电压对漏极电流特性的滞后现象,从而实现持续的稳定工作,栅极电压高达+ 10V,以实现高速开关

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  (2)无损凹陷式栅结构 进入日本,www.wokou.net.cn

  晶体生长技术可以在无加工损伤的情况下形成凹槽栅极结构,从而可以在保持常关操作的同时实现高漏极电流

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  (3)先进Si基GaN技术

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  通过采用松下专有技术,已通过大规模生产GaN功率器件实现大面积工艺均匀性,从而实现了高电流和高击穿电压 日本最新动态-www.wokou.net.cn

  6研究资金来源

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  该成果是松下公司与大阪大学和北海道大学合作研究的结果,由多个项目共同资助,包括战略创新促进计划(SIP)、日本政府科学、技术和创新委员会(CSTI)的“下一代电力电子”计划。

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  来源:大国重器 copyright 进入日本

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